Esnek alttaban üzerine büyütülen organik alan etkili transistörler ve elektriksel karakterizasyonları - Türkan, Hasan (Gebze Yüksek Teknoloji Enstitüsü, Lisansüstü Eğitim Enstitüsü, 2014)
Yeni nesil esnek organik elektronik teknolojilerinin öncüsü, organik alan etkili transistörler (OFET) dir. Günümüzde kullanım alanları da gittikçe artmaktadır. Mesela; akıllı pikseller, radyo frekansı ile tanımlama etiketleri, elektronik kartlar için sürücüler ve düz panel ekranların sürücü devreleri gibi ucuz maliyetli elektronik uygulamaları için büyük potansiyele sahiptirler. Klasik alan etkili transistörlerde aktif katman olarak silisyum ve germanyum gibi inorganik yarıiletken malzemeler kullanılırken, OFET'lerde organik yarıiletken malzemeler kullanılır. rr-P3HT polimeri, çözelti bazlı kaplanabilmesi ve düşük maliyetli olmasından dolayı çok kullanılan bir organik yarıiletkendir. Yaptığımız bu tez çalışmasında, ITO kaplı pet alt taban üzerinde esnek organik alan etkili transistörler başarıyla üretilmiş ve I-V karekterizasyon eğrileri elde edilmiştir. Bu eğriler değerlendirilerek üretilen esnek OFET'i karakterize eden eşik voltajı, akım açık/kapalı oranı ve yük-taşıyıcı mobilitesi gibi parametreler hesaplanmıştır. Bu karakterizasyon işlemlerinin tümü Keithley 4200SCS cihazı ile yapılmıştır.

The pioneer of new generation flexable, organic elektronic devices are organic field-effect transistors (OFETs). At the present time, their area of usage are increasing. For example, they have a great potantial for smart pixels, radio frequency identification tags, drivers for electronic papers, and driving circuits for flat-panel displays. While semiconductors like Si, Ge are used for active layer in conventional field-effect transistor, organic semiconductors are being used in OFETs. rr-P3HT (regio-regular poly(3-hexylythiophene)) is a commonly used organic semiconductor because of its low cost and possibility of solution based coating. Furthermore, organic materials allows us to make flexible electronic devices. In this thesis, organic field-effect transistors were grown on flexible substrate (plastic). The substrate was coated by indium tin oxide (ITO). We have used rr-P3HT as organic semiconductor and polly methyl metacrylate (PMMA) as gate dilectric. As a result of characterization, thershold voltages, current onn/off ratios and charge carrier mobilities were optained and compared with each other. All characterizations made by Keithley 4200 SCS device.
Organic field effect transistors grown on flexible substrate and electrical characterization
Keywords: Fizik ve Fizik Mühendisliği; Physics and Physics Engineering