İletken polimer tabanlı organik alan etkili transistörlerin manyetik alan altındaki davranışlarının incelenmesi

Abstract

Polimerlerin iletkenlik özelliklerinin keşfini, bu malzemelerin elektronik cihazlarda kullanılması takip etmiştir. OFET adı verilen organik alan etkili transistörler bu uygulamalardan sadece bir tanesi olmakla beraber, vadettiği potansiyel açısından üzerinde en çok çalışılan konulardan birisi olmaktadır. OFET cihazlarına ait mekanizmaların anlaşılması ve karakteristiklerinin analiz edilmesi önemli bir konudur.OFET karakteristiklerinin değişik koşullarda ne şekilde davrandığı merak konusudur. Manyetik alan, yarıiletken materyallerde çok değişik etkiler meydana getirebilir. Manyetik alan yüklü parçacıklar üzerinde kuvvet ugulayıcıdır. Bir yarıiletkende iletkenlik, yüklerin farklı noktalar arasındaki transferi yani hareketiyle gerçekleşir ki, bu durum bu tür materyalleri manyetik alanlardan etkilenir hale getirir.Bu tez çalışmasında, MDMO-PPV iletken polimer tabanlı OFET lerüretilmiş ve bunlar değişen şiddette manyetik alanlara maruz bırakılmışlardır. Manyetik alana maruz bırakılan OFET'lere ait akım voltaj karakteristiğini gösterirdata ve grafikleri incelenmiştir. Bu ölçümlerde farklı manyetik alan şiddetlerinde kapı-kaynak ve savak arasındaki gerilim ve akım değişimlerinin nasıl gerçekleştiği incelenmiştir.Herhangi bir manyetik alana maruz bırakılmadan önce beklenen şekilde OFET karakteristiği sunabilen cihazların, manyetik alan şiddetindeki artışa bağlı olarak bu karakteristikten uzaklaştığı gözlenmiştir.Manyetik alan şiddetindeki artışla beraber faydalı ve kontrollü bir kullanım sergileyemeyen OFET'ler üzerinde Hall etkileri oluştuğu anlaşılmıştırAfter the discovery of the conducucting properties of polymers, they have been used in electronic applications. However organik field effect transistors ?OFET- is only one of these applications this is a hot topic as they show great promise for the future. It is also an important issue understanding of OFET mechanisms and analyzing their characterisitics.It is desired to know how OFET characteristics behave under different conditions. Magnetic field can cause very strange effects on semiconducting materials. Magnetic field exerts a force on moving charged particels. Conductance in a semiconductor takes place due to transfer and motion of charged particles between certain locations which makes the mopento be affected by magnetic fields.In this study, MDMO-PPV conducting polymer based OFET?s have been fabricated and influenced by magnetic fields at different strength. Then the current- voltage related data and graphics of these OFET?s have been analyzed. These measurements focused on the relation that how the voltage and current changed between gate-drain and source under different magnetic field strengths. OFET?s which were able to perform desired characteristic scouldn?t perform their tasks under stronger magneti fields. After an increase in magnetic field strength, Hall effect was observed on OFET?s.