TlGaSe2 yarıiletken kristalin memristif özelliklerinin incelenmesi

Abstract

Bu çalışmada akım tarama yöntemiyle farklı kontaklarla oluşturulmuş metalTlGaSe2 katmanlı p-tipi yarıiletken kristalin akım-voltaj (I-V) karakteristiği iki-prob ölçme yöntemiyle araştırılmıştır. İncelenen tüm kristal örneklerinde akım-kontrollü memristif etki ve anahtarlama gözlemlenmiştir. Gözlenen anahtarlama karakteristiğinin, deneysel olarak üretilen memristif sistemlere yakın olduğu görülmüştür. TlGaSe2-metal yapıların voltaj tarama yöntemi ile kaydedilen I-V grafiklerinde Mott diyot parametreleri hesaplanmış ve kontak mekanizmasının metalyalıtkan-yarıiletken mekanizma olduğu görülmüştür. Bu yapı metal-yalıtkanyarıiletken-yalıtkan-metal (MISIM) sandviç tipi şeklindedir. Yapının voltaj tarama grafikleri Mott diyot hesaplamalarıyla uyumlu olduğu gösterilmiştir. Sandviç MISIM cihazın elektroforming uygulanarak kapasitans-voltaj (C-V) karakteristikleri incelenmiş, memkapasitif özellik gösterdiği belirlenmiştir.

In this study, the current-voltage (I-V) characteristics of the TlGaSe2 layered ptype semiconductor crystal an electric current which was passed through under the influence of the electric field was investigated by two-probe measurement method. Memory effect and threshold-type switching have been observed in all examined crystal samples. The observed switching characteristic of the crystals was found to be similar to the experimentaly produced memristive systems. The Metal-TlGaSe2-Metal Mott diot parameters were calculated in I-V graphics recorded with voltage scanning method and contact mechanism has been found to be a metal-insulatorsemiconductor mechanism. The structure is in type metal-insulator-semiconductorinsulator-metal (MISIM) sandwich. The voltage sweeping graphics of the structure have been shown to be compatible with Mott diode calculations. The capacitance-voltage (C-V) characteristics of sandwich type was investigated and memcapacitive properties revealed