AIII BIII C2VI yarı iletken kristallerinin fotovoltaik özelliklerinin incelenmesi

Abstract

Bu çalışmada, genel olarak A^III B^III C_2^VI şeklinde gösterilen bileşiklerden katmanlı TlGaSe_2 kristalleri incelenmiştir. TlGaSe_2 kristali ferroelektrik yarıiletken grubuna aittir ve gözlenen birçok özelliği bununla ilişkilidir. Kristal direk bant geçişine sahip olup bant aralığı oda sıcaklığı civarında 2.11eV ve 10K'de 2.19eV'tur. Elektriksel ölçümlerin yapılabilmesi için farklı köklerden alınmış kristallere altın (Au), indiyum (In), bakır (Cu) kontaklar yapılmıştır. Elektrik alan uygulanarak ve elektrik alan uygulanmadan farklı sıcaklıklarda (80-300K) I-V ve PV(?) karakteristikleri ölçülmüştür. Kristalin göstermiş olduğu I-V ve PV(?) karakteristiğine göre fotovoltaik özellikleri incelenmiş ve kristalin fotovoltaik karakteristiği yorumlanmıştır. Elektrik alan altında soğutularak ölçülen I-V karakteristiği asimetrik bir yapı göstermiş ve buna bağlı olarak da PV(?) karakteristikleri incelendiğinde kristalin fotovoltaik özelliklerinin arttığı gözlemlenmiştir. Ayrıca soğutma sırasında uygulanan alanın yönü asimetrinin yönünü de belirlemektedir. Uygulanan elektrik alanla fotovoltajın artması kristal ile yapılan kontak arasında bir bariyer oluşarak yapının metal-yalıtkan-yarıiletken yapı gibi davrandığı şeklinde yorumlanmıştır.In this work, generally in A^III B^III C_2^VI of the compounds shown in the form layered cystals TlGaSe_2 were investigated. TlGaSe_2 ferroelectric semiconductor crystal belongs to the group and observed many features that are associated with it. Crystal has a direct band pass and band gap is 2.11ev around room temperature and in 10K band gap is 2.19 eV. In order to make electrical measurements of the crystals obtained from the different root gold (Au), indium (In), copper (Cu) were made contact. Applying the electric field and the electric field without applying at different temperatures (80-300) IV and PV (?) characteristics were measured. Have shown that crystalline IV and PV (?) according to the characteristics of the photovoltaic properties of crystalline photovoltaic characteristics were examined and interpreted. With cooling in an electric field measured IV characteristic showed an asymmetric structure, and consequently also the PV (?) characteristics of crystalline photovoltaic characteristics examined had risen. Also during cooling of the applied field direction in the direction of the asymmetry determines. Applying the electric field increasing fotovoltage and create a barrier between crystal and contact. The resulting structure behaves as metal-insulator-semiconductor structures is interpreted as.