BiTeI Kristalinde Spin-Yörünge Yarılmasının Gerinim ile Değişimi

Abstract

BiTeI kristalinin elektronik bant yapısında, güçlü spin-yörünge etkileşmesi Rashba tipi spin ayrışmasına yolaçmaktadır. Bu nedenle, dar bant aralıklı bir yarıiletken olan BiTeI potansiyel bir spintronik malzeme olarak ilgiçekmektedir. Bu makalede, BiTeI’deki Rashba tipi spin yarılmaların gerinim ile nasıl değiştiği incelenmiştir. Buamaçla, yoğunluk fonksiyonel teorisi çerçevesinde kristal yapısı optimizasyonları ve bant yapısı hesaplamalarıgerçekleştirilmiştir. Bu hesaplamaların sonuçları, BiTeI’deki Rashba tipi spin yarılmasının gerinim ile kontroledilebileceğini göstermektedir. Bu, BiTeI kristalinde gerinimin spin-yörünge etkileşimini arttırdığı (kristalsıkıştırıldığında) ya da azalttığı (kristal genleştiğinde) bulgusu ile açıklanmıştır.