TIGaSe2 kristalinin ısıl uyarılmış akım yöntemi ile incelenmesi

Abstract

Isıl Uyarılmış Akım ölçümleri TlGaSe2 tabakalı kristalinde c eksenine paralel olacak şekilde 80-160K aralığında, çeşitli ısıtma hızları için gerçekleştirildi. Deney sonuçlan, enerji seviyeleri sırasıyla 0.3233, 0.3457, 0.2868, 0.3272, 0.4120 eV olan beş tuzak seviyesi olduğunu gösterdi. Tuzak parametreleri çeşitli analiz yöntemleri ile belirlenmiş ve sonuçlar birbirleri ile uyumlu çıkmıştır. Yapılan hesaplamalarda birinci kinetik varsayımı yapılmış olup hesaplanan yakalama tesir kesiti ve tuzak yoğunluğu parametrelerinin değerleri de bu çalışmada sunulmuştur.Thermally stimulated current measurements were carried in TIGaSeî layered single crystal with current flowing parallel to the c-axis in the wide temperature range of 80-160K with various heating rates. Experimental evidence was found for the presence five trapping centers for TlGaSe2 crystal with activation energies 0.3233, 0.3457, 0.2868, 0.3272, 0.4120 eV respectively. Trap parameters are determined for various methods of analysis and these agree well with each other. The retrapping process is negligible for theoretic predictions. Also the calculated values of capture cross sections and the concentration of the traps are reported.