Au/ TlGaSe2 /Ag Schottky diyotlarının yapılması ve elektriksel özellikleri

Abstract

Bu çalışmada modifiye edilmiş Brigdman - Stockbarger yöntemiyle büyütülmüş p-tipi TlGaSe2 katmanlı tek kristalinin katmanlarına paralel olan bir yüzeyine Au (altın) metali termal buharlaştırma yöntemiyle kullanılarak kaplanmıştır. Bu yüzey Ag (gümüş) pasta ile omik kontak yapılmıştır. Tabakalara paralel diğer yüzey Ag pasta ile omik kontak oluşturulmuştur. Au olan yüzeyde Schottky bariyeri gözlenmiştir ve Schottky diyot davranışının farklı sıcaklıklarda (80-296 K) akım ? voltaj (I-V) karakteristiği incelenmiştir.Schottky barrier contact using Au metal and Ohmic contact using Ag paste were fabricated on as growth p-type TlGaSe2 layered crystal. Measurements were carried out using current ? voltage ? temperature (I ? V ? T) technique in the range of 80 ? 296 K. Under forward bias and room-temperature, the ideality factors (n) were determined to be 1,36. The Schottky barrier height and effective Richardson coefficient A* were measured. Barrier heights of Au/ TlGaSe2 at room temperature is 0,7 eV. Diode parameters are found to vary as a function of temperatures.