TlGaSe2 kristalinin iletkenlik geçişlerindeki hafıza etkisi

Abstract

Düzensiz fazdaki TlGaSe2 ferroelektrik-yarıiletken kristalindeki karanlık akım ve ısıl uyarılmış akımda ısıl bekleme etkisi araştırıldı. Düzensiz fazda kristalin birkaç saat beklemesiyle iletkenliğin bu iki tipinde fark edilir bir değişim gösterildi. Beklememin başlıca etkisi gevşeme zamanının gittikçe azalmasına yol açan kusurların, yakalama tesir kesitinin önemli bir olay olmasıyla ilişkili sonuçlar elde edildi.Effect of thermal annealing on dark conductivity and thermally stimulated conductivity in ferroelectric-semiconductor TlGaSe2 with incommensurate phase is investigated. It is shown that both type of conductivities are drastically changed offer some hours annealing of the crystal within the incommensurate phase. Obtained results lead to the correlation that the main effect of annealing is the great effect of impurities capture cross sections leading to the dramatic increasing of the relaxation times.