Tb ve Er katkılarının TlInS2 tek kristallerindeki tuzakların elektrik karakterizasyona etkisi

Abstract

Bu tezin amacı Terbiyum ve Erbiyum katkılı TlInS2 katmanlı tek kristallerindeki tuzak seviyelerini ısıl uyarılmış akım yöntemiyle incelemek ve ilgili parametreleri uygun modeli kullanarak belirlemektir. Tb katkılı örnekte, 147-178 K aralığında katkısız kristallerde gözlenmeyen bir pik belirlenmiştir. Bu sıcaklık aralığında etkinleşen tuzağın aktivasyon enerjisi 0.21 eV olarak hesaplanmıştır. Daha önce farklı bir yöntemle (FİGAS) gerçekleştirilen incelemede elde edilen sonuçlarla Tb katkılı numuneden aldığımız sonuçlar örtüşmektedir. Er katkılı numunede ise IUA ölçümleri olumlu sonuçlar vermemiştir. Ayrıca yapısal analiz için kristallerin, X-ışını kırınımı spektroskopisi ve enerji dağınımlı X-ışını spektroskopisi ölçümleri gerçekleştirilmiştir.

The aim of this thesis is to examine the trap depth in Tb and Er doped TlInS2 single crystals by applying thermally stimulated current method and to analyze relevant parameters via exact model. A peak that can not be observed in intentionally undoped crystals in the 147-178 K temperature range is dedected as 0.21 eV. The results got from the previous examination which is done with a differnt method (PICTS) and results we get from Tb sample are in accord with each other. However, TSC measurements in Er doped sample could not be achieved positive results. Besides, for structural analysis X-ray diffraction spectroscopy and energy dispersive X-ray spectroscopy measurements are done with scanned electron microscope.